[发明专利]半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置有效
| 申请号： | 201680067710.3 | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN108292684B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 及川欣聪;大泽信晴;神长正美;中泽安孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G09F9/30;H01L21/28;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸;闫小龙 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。本发明的一个方式包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极、氧化物半导体膜上的漏电极、氧化物半导体膜、源电极及漏电极上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二栅电极，第一绝缘膜具有第一开口部，在第一绝缘膜上形成通过第一开口部与第一栅电极电连接的连接电极，第二绝缘膜具有到达连接电极的第二开口部，第二栅电极包括氧化物导电膜及氧化物导电膜上的金属膜，使用金属膜使连接电极与第二栅电极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：晶体管，该晶体管包括：第一栅电极；所述第一栅电极上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；所述氧化物半导体膜上的源电极；所述氧化物半导体膜上的漏电极；所述氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上的第二绝缘膜；以及所述第二绝缘膜上的第二栅电极，其中，所述第一绝缘膜具有第一开口部，在所述第一绝缘膜上形成通过所述第一开口部与所述第一栅电极电连接的连接电极，所述第二绝缘膜包括：到达所述连接电极的第二开口部，所述第二栅电极包括：氧化物导电膜；以及所述氧化物导电膜上的金属膜，并且，使用所述金属膜使所述连接电极与所述第二栅电极电连接。
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