[发明专利]半导体装置、包括该半导体装置的显示装置以及包括该半导体装置的电子设备在审
| 申请号： | 201680066525.2 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN108292683A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 保坂泰靖;岛行德;中田昌孝;神长正美 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在包括氧化物半导体的晶体管中，在抑制电特性变动的同时提高可靠性。提供一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括被用作第一栅电极的第一导电膜、第一栅极绝缘膜、包括沟道区域的第一氧化物半导体膜、第二栅极绝缘膜、被用作第二栅电极的第二氧化物半导体膜及第二导电膜。第二氧化物半导体膜包括其载流子密度比第一氧化物半导体膜高的区域。第二导电膜包括与第一导电膜接触的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体膜 半导体装置 导电膜 晶体管 栅极绝缘膜 栅电极 载流子 氧化物半导体 电子设备 沟道区域 显示装置 电特性 密度比 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：晶体管，其中，所述晶体管包括：第一导电膜；所述第一导电膜上的第一绝缘膜；包括隔着所述第一绝缘膜与所述第一导电膜重叠的区域的第一氧化物半导体膜；所述第一氧化物半导体膜上的第二绝缘膜；包括隔着所述第二绝缘膜与所述第一氧化物半导体膜重叠的区域的第二氧化物半导体膜；所述第二氧化物半导体膜上的第二导电膜；以及所述第一氧化物半导体膜上、所述第二氧化物半导体膜上及所述第二导电膜上的第三绝缘膜，所述第一氧化物半导体膜包括与所述第二绝缘膜接触的沟道区域、与所述第三绝缘膜接触的源区域以及与所述第三绝缘膜接触的漏区域，所述第二氧化物半导体膜包括其载流子密度比所述沟道区域高的区域，并且，所述第二导电膜包括与所述第一导电膜接触的区域。
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