[发明专利]场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201680064400.6 | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN108352326A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 梁晨;秦旭东;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 张耀光 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种场效应晶体管及其制作方法，属于电子元器件技术领域。场效应晶体管包括：衬底(101)，设置在衬底(101)上的沟道层(102)，设置在沟道层(102)上且分别位于沟道层(102)两侧的源电极(103)和漏电极(104)，设置在源电极(103)、漏电极(104)和沟道层(102)上的绝缘层(105)，以及设置在绝缘层(105)上的栅极(106)，栅极(106)设置在源电极(103)和漏电极(104)之间，场效应晶体管还包括导电薄膜层(107)，导电薄膜层(107)设置在源电极(103)和漏电极(104)之间，且导电薄膜层(107)同时覆盖在栅极(106)的顶面、栅极(106)的侧面以及源电极(103)和漏电极(104)之间的绝缘层(105)上。导电薄膜(107)与栅极(106)相连且在源电极(103)和漏电极(104)之间的绝缘层(105)上延伸，相当于增加了栅极(106)长度，使栅极(106)更容易对沟道层(102)进行调制，从而减小了寄生电阻，增加了器件的跨导，提升了场效应晶体管的开关速度与增益。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电极 源电极 沟道层 绝缘层 场效应晶体管 导电薄膜层 衬底 电子元器件 效应晶体管 导电薄膜 寄生电阻 顶面 减小 调制 制作 侧面 延伸 覆盖 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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