[发明专利]BARITT二极管的集成

摘要

在所描述实例中，一种经竖直定向的BARITT二极管(108)形成在集成电路(100)中。所述BARITT二极管(108)具有：源极(126)，其接近于所述集成电路(100)的衬底(102)的顶部表面；漂移区(128)，其在所述衬底(102)的半导体材料中紧接在所述源极(126)下方；以及集电极(130)，其在所述衬底(102)的所述半导体材料中紧接在所述漂移区(128)下方。介电隔离结构(132)侧向地环绕所述漂移区(128)，从所述源极(126)延伸到所述集电极(130)。所述源极(126)可以任选地包含硅锗层或可以任选地包含肖特基势垒触点。

主权项

1.一种集成电路，其包括：衬底，其包括具有第一导电类型的半导体材料；所述集成电路的晶体管；以及势垒注入渡越时间BARITT二极管，其包括：源极，其被安置成接近于所述衬底的顶部表面；经竖直定向的漂移区，其被安置在所述半导体材料中紧接在所述源极下方，所述漂移区具有所述第一导电类型；集电极，其被安置在所述衬底中紧接在所述漂移区下方，所述集电极具有相反的第二导电类型；和介电隔离结构，其侧向地环绕所述漂移区，所述介电隔离结构从所述源极延伸到所述集电极，所述经竖直定向的漂移区不含除了所述源极和所述集电极以外的外部电连接件。