[发明专利]碳膜的成膜方法在审
| 申请号： | 201680063442.8 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN108350568A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 小梁慎二;伊东润一;布施和志;逸见充则 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种与上述现有例的产品相比可重现性良好，且形成的碳膜具有几十mΩ·cm左右的极低的电阻率的碳膜的成膜方法。在本发明的碳膜的成膜方法中，使用碳材质的靶(4)，在漏磁场(Mf)作用于该靶表面侧的状态下给靶施加电力并溅射，在处理对象物的表面形成碳膜。此时，在靶表面局部形成有漏磁场作用的区域，使该漏磁场作用的区域进行从靶表面的起点开始相对于靶做相对移动后回到起点的周期性变化。另外，使靶表面的规定位置上的漏磁场的平均磁场强度与给靶施加的电力之乘积在125G·kW以下。 | ||
| 搜索关键词： | 碳膜 靶表面 漏磁场 成膜 施加 处理对象物 周期性变化 表面形成 局部形成 可重现性 相对移动 电阻率 碳材质 溅射 磁场 | ||
【主权项】：
1.一种碳膜的成膜方法，使用碳材质的靶，在漏磁场作用于该靶表面侧的状态下给靶施加电力并溅射，在处理对象物的表面形成碳膜；其特征在于：在靶表面局部形成有漏磁场作用的区域，使该漏磁场作用的区域从靶表面的起点开始相对于靶作相对移动后回到起点而进行周期性变化；使靶表面的规定位置上的漏磁场的平均磁场强度与给靶施加的电力之乘积在125G·kW以下。
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