[发明专利]毫秒退火系统中的衬底支承件有效
| 申请号： | 201680063372.6 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108352343B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·西贝尔 | 申请（专利权）人： | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人： | 崔晓光 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了用于毫秒退火系统中的衬底支承件的系统和方法。在一个示例性实施方案中，毫秒退火系统包括具有晶片支承板的处理室。从晶片支承板可以延伸有多个支承引脚。支承引脚可以构造成对衬底进行支承。多个支承引脚中的至少一个支承引脚具有球形表面轮廓，以适应在与衬底相接触的点处衬底表面法线的变化角度。本公开的其他示例性方面涉及用于对例如与支承引脚相接触的点处的局部接触应力进行估计的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 毫秒 退火 系统 中的 衬底 支承 | ||
【主权项】：
1.一种毫秒退火系统，包括：处理室，所述处理室具有晶片支承板；多个支承引脚，所述多个支承引脚从所述晶片支承板延伸且构造成对衬底进行支承；其中，所述支承引脚中的至少一个支承引脚具有球形表面轮廓，以适应在与所述衬底相接触的点处衬底的表面法线的变化角度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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