[发明专利]在触点处具有石墨烯界面层的石墨烯FET

摘要

在所描述实例中，一种用于形成石墨烯FET的方法(100)包含提供(101)具有石墨烯表面的石墨烯层。在所述石墨烯表面上沉积(102)具有功函数(WF)<4.3eV的第一金属层。氧化(103)所述第一金属层以形成第一金属氧化物层。蚀刻(104)所述第一金属氧化物层以提供包含所述石墨烯层中用于提供石墨烯表面源极和漏极触点的第一区域和第二区域的敞开表面接触区域。沉积(105)第二金属层，所述第二金属层包含在所述石墨烯表面源极触点上提供具有源极触点的源极的第二金属层部分和在所述石墨烯表面漏极触点上提供具有漏极触点的漏极的第二金属层部分。在所述源极触点与所述石墨烯表面源极触点之间的界面处和在所述漏极触点与所述石墨烯表面漏极触点之间的界面处形成(106)生长石墨烯层。

主权项

1.一种用于形成石墨烯场效应晶体管FET的触点的方法，其包括：提供在衬底上具有石墨烯表面的石墨烯层；在所述石墨烯表面上沉积具有功函数WF<4.3eV的第一金属层；氧化所述第一金属层以形成第一金属氧化物层；蚀刻所述第一金属氧化物层以提供敞开表面接触区域，所述敞开表面接触区域包含所述石墨烯层中用于分别提供石墨烯表面源极触点和石墨烯表面漏极触点的第一区域和第二区域；沉积第二金属层，所述第二金属层包括在所述石墨烯表面源极触点上提供具有源极触点的源极的第二金属层部分和在所述石墨烯表面漏极触点上提供具有漏极触点的漏极的第二金属层部分，以及在所述源极触点与所述石墨烯表面源极触点之间的界面处和在所述漏极触点与所述石墨烯表面漏极触点之间的界面处形成生长石墨烯界面层。