[发明专利]具有双栅极的III族氮化物场效应晶体管有效
| 申请号： | 201680062331.5 | 申请日： | 2016-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN108292678B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 储荣明 | 申请（专利权）人： | HRL实验室有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京鸿德海业知识产权代理有限公司 11412 | 代理人： | 袁媛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 场效应晶体管(FET)包括III‑族氮化物沟道层、沟道层上的III‑族氮化物势垒层、势垒层上的第一电介质、延伸通过第一电介质且部分地或完全地通过势垒层的第一栅极沟槽、第一栅极沟槽的底部和壁上的第二电介质、第一栅极沟槽的第一侧上的源极电极、与第一侧相对的第一栅极沟槽的第二侧上的漏极电极、第二电介质上并填充第一栅极沟槽的第一栅极电极、第一栅极沟槽和漏极电极之间的第三电介质、延伸穿过第三介电质并且横向地位于第一栅极沟槽与漏极电极之间的第二栅极沟槽以及填充第二栅极沟槽的第二栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 iii 氮化物 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括:III‑族氮化物沟道层；III‑族氮化物势垒层，其在所述沟道层上；第一电介质，其在所述势垒层上；第一栅极沟槽，其延伸穿过所述第一电介质并且部分或全部穿过所述势垒层；第二电介质，其在所述第一栅极沟槽的底部和壁上；源极电极，其在所述第一栅极沟槽的第一侧上与所述沟道层电接触；漏极电极，其在与所述第一侧相对的所述第一栅极沟槽的第二侧上与所述沟道层电接触；第一栅极电极，其在所述第二电介质上并填充所述第一栅极沟槽；第三电介质，其在所述第一栅极沟槽和漏极电极之间；第二栅极沟槽，其延伸穿过所述第三介电质并且横向地位于所述第一栅极沟槽与所述漏极电极之间；以及第二栅极电极，其填充所述第二栅极沟槽。
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