[发明专利]使用大气压等离子体准备步骤的外延生长

摘要

在CMP之后且在外延生长步骤之前，通过大气压等离子体对衬底进行准备，所述大气压等离子体不仅包含还原化学物质，还包含化学惰性载气的亚稳态。这会去除残留物、氧化物和/或污染物。任选地，氮气钝化也在大气条件下进行，以钝化衬底表面，以便于后续外延生长。

主权项

加之其他方面(并且不排除，本文中表示为创造性的和/或意外的和/或有利的任何其他方面)，要求保护的是：一种在晶体衬底上外延生长晶体薄膜的方法，包括步骤：a)在所述晶体衬底上形成原子级有序的晶体表面；b)使包含惰性气体的活化亚稳态以及一种或多种不稳定反应性化学物质的活化气体混合物流动通过辉光放电并在大气压力下向下游流到所述晶体衬底的所述表面上，从而从所述有序的晶体表面除去残留物和/或氧化物而不干扰所述晶体表面的原子顺序；c)将所述晶体衬底封闭在未向大气开放的反应容器中，并将晶体材料层沉积在所述有序的晶体表面上，作为所述衬底结晶度的晶体延伸。