[发明专利]基于互补电流场效应晶体管装置的低噪声跨阻抗放大器在审
| 申请号： | 201680056646.9 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN108141180A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | S·M·朔贝尔;R·C·朔贝尔 | 申请（专利权）人： | 电路种子有限责任公司 |
| 主分类号： | H03F1/08 | 分类号： | H03F1/08;H03F3/45;H03F3/08;H03F3/68 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于低噪声电流放大器或跨阻抗放大器的新颖和创造性的复合装置结构。所述跨阻抗放大器包含：放大器部分，所述放大器部分使用一对互补的新颖n型和p型电流场效应晶体管(NiFET和PiFET)来将电流输入转换为电压；以及使用另一对互补的NiFET和PiFET的偏置产生部分。可通过源极沟道的宽度(W)长度(L)比与漏极沟道的宽度(W)长度(L)比的比率(源极沟道的W/L/漏极沟道的W/L)来配置和编程NiFET和PiFET的跨阻抗以及其增益。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 跨阻抗放大器 放大器 低噪声 漏极 源极 场效应晶体管装置 场效应晶体管 电流放大器 复合装置 互补电流 输入转换 偏置 阻抗 编程 配置 | ||
【主权项】：
一种跨阻抗放大器，包括：a.第一对互补的第一n型电流场效应晶体管(NiFET)和第一p型电流场效应晶体管(PiFET)；b.第二对互补的第二NiFET和第二PiFET；其中所述NiFET和PiFET中的每个包括：源极端子、漏极端子、栅极端子和所述PiFET和NiFET中的所述每个的对应导电类型的扩散端子，界定所述源极端子与所述扩散端子之间的源极沟道以及所述漏极端子与所述扩散端子之间的漏极沟道，所述扩散端子引起整个所述源极和漏极沟道中的所述扩散电荷密度的改变，且所述栅极端子电容耦合到所述源极沟道和所述漏极沟道；其中所述PiFET的所述栅极端子和所述NiFET的所述栅极端子连接在一起以形成用于所述每个互补对的共用栅极端子，所述每个对的所述NiFET的所述源极端子连接到负电源且所述每个对的所述PiFET的所述源极端子连接到正电源，且所述NiFET和所述PiFET的漏极端子连接在一起以形成输出；以及其中所述第一互补对的所述共用栅极和所述第二互补对的所述共用栅极与所述第二互补对的所述输出连接以产生偏置电压输出；所述第一NiFET的所述扩散端子和所述第一PiFET的所述扩散端子中的至少一个或两个接收输入电流；以及所述第一互补对的所述输出形成所述跨阻抗放大器的电压输出。
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