[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置具有导电性的基板(1)、沟道形成层、第一电极(4)、以及第二电极(5)。沟道形成层形成在基板上，至少具备一个具有构成漂移区域的第一GaN系半导体层(2)以及与第一GaN系半导体层相比带隙能量更大的第二GaN系半导体层(3)的异质结构造。包含第一GaN系半导体层的极化所带来的电荷在内，第一GaN系半导体层及第二GaN系半导体层所含的电荷的总固定电荷量被设为0.5×1013～1.5×1013cm‑2的范围内。由此，在半导体装置中，实现击穿电压的提高及导通电阻的降低。

主权项

1.一种半导体装置，具有：导电性的基板(1)；形成在上述基板上、且至少具备一个异质结构造的沟道形成层，该异质结构造具有构成漂移区域的第一GaN系半导体层(2)、以及与上述第一GaN系半导体层相比带隙能量更大的第二GaN系半导体层(3)；第一电极(4)，与上述第二GaN系半导体层相接地形成；以及第二电极(5)，与上述第二GaN系半导体层相接地形成，并与上述第一电极分离地形成，上述第一电极与上述第二电极之间的距离(L)比由上述第一GaN系半导体层以及上述第二GaN系半导体层形成的异质结构造的厚度(D)长，在上述第一GaN系半导体层与上述第二GaN系半导体层的界面中的上述第一GaN系半导体层一侧，形成因极化而生成的二维电子气所形成的载流子，从而流过电流，包含上述第一GaN系半导体层的极化所带来的电荷在内，上述第一GaN系半导体层及上述第二GaN系半导体层中所含的电荷的总固定电荷量被设为0.5×1013～1.5×1013cm-2的范围内。