[发明专利]用于非易失性存储器的子块模式有效
| 申请号： | 201680054126.4 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108292519B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | X.杨;曾怀远;X.苗;D.杜塔 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于在使用NAND串执行感测操作之后或在感测操作期间减少NAND串内的残余电子的系统和方法。可以执行中间编程序列，其中在对朝向NAND串的漏极侧末端和/或NAND串的源极侧末端的其它存储器单元晶体管编程和验证之前，对NAND串的中间的存储器单元晶体管编程和编程验证。在一个示例中，对于具有与从NAND串的源极侧末端到NAND串的漏极侧末端的字线WL0到WL31对应的32个存储器单元晶体管的NAND串，在对与字线WL15和WL17对应的存储单元晶体管编程之前，可以对与字线WL16对应的存储器单元晶体管编程和编程验证。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 模式 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包含：NAND串501，其包括存储器单元的第一集合和存储器单元的第二集合，存储器单元的第一集合布置在第一控制线和存储器单元的第二集合之间，存储器单元的第二集合布置在存储器单元的第一集合与第二控制线之间；和控制电路510，其被配置为确定存储器单元的第一集合中的每个存储器单元按照从最靠近存储器单元的第二集合的、存储器单元的第一集合的第一存储器单元开始并且以最靠近第一控制线的、存储器单元的第一集合的第二存储器单元结束的顺序处于最终编程的数据状态中，控制电路被配置为验证第一存储器单元的编程的数据状态，而存储器单元的第二集合中的每一个处于擦除的数据状态中。
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