[发明专利]成像元件、成像元件的制造方法、成像装置以及成像装置的制造方法有效
申请号: | 201680052715.9 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN108028259B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 山崎知洋;丸山康 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王新春;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开提供了一种成像装置的制造方法,所述成像装置在成像区域中包括多个成像元件,其中各个所述成像元件包括基板中的光电转换部和配置在所述光电转换部的光入射侧的线栅偏振器。所述方法通常包括形成包括多个层叠条形部分的线栅偏振器,其中所述多个层叠条形部分中的每一个包括光反射层的一部分和光吸收层的一部分。所述光反射层可以包含与所述基板和所述光电转换部中的至少一个电连接的第一导电材料。所述光吸收层可以包含第二导电材料,其中所述光吸收层的至少一部分与所述光反射层接触。 | ||
搜索关键词: | 成像 元件 制造 方法 装置 以及 | ||
【主权项】:
1.一种成像装置的制造方法,所述成像装置在成像区域中包括多个成像元件,各个所述成像元件包括基板中的光电转换部和配置在所述光电转换部的光入射侧的线栅偏振器,所述方法包括:在所述基板中形成所述光电转换部;在所述光电转换部上或上方形成光反射层,其中所述光反射层包含与所述基板和所述光电转换部中的至少一个电连接的第一导电材料;在所述光反射层上或上方形成光吸收层,其中所述光吸收层包含第二导电材料,并且其中所述光吸收层的至少一部分与所述光反射层接触;和对所述光吸收层和所述光反射层进行图案化,以形成包括多个层叠条形部分的所述线栅偏振器,其中所述多个层叠条形部分中的每一个包括所述光反射层的一部分和所述光吸收层的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的