[发明专利]深微阱设计及其制造方法有效
| 申请号： | 201680050743.7 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107923869B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | J.布斯蒂洛;J.格雷;J.欧文斯 | 申请（专利权）人： | 生命技术公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种装置，所述装置包括基板；栅极结构，其布置于所述基板之上并具有上表面；阱结构，其布置于所述基板之上，并且在所述栅极结构的所述上表面之上限定阱；导电层，其布置于所述栅极结构的上表面上并且至少部分地沿着所述阱结构中所述阱的壁延伸；以及介电结构，其布置于所述阱结构之上并限定到所述阱的开口。 | ||
| 搜索关键词： | 深微阱 设计 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：基板；栅极结构，所述栅极结构布置于所述基板之上并具有上表面；阱结构，所述阱结构布置于所述基板之上，并且在所述栅极结构的所述上表面之上限定阱；导电层，所述导电层布置于所述栅极结构的所述上表面之上，并且至少部分地沿着所述阱结构中所述阱的壁延伸；以及介电结构，所述介电结构布置于所述阱结构之上并且限定到所述阱的开口。
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