[发明专利]制造碳化硅外延基板的方法、制造碳化硅半导体装置的方法以及制造碳化硅外延基板的设备

摘要

在形成碳化硅层的步骤中，当X轴代表以百分比表示通过将硅烷的流量除以氢气的流量而获得的值的第一值且Y轴代表以sccm表示氨气的流量的第二值时，所述第一值和所述第二值落在由XY平面坐标中的第一坐标、第二坐标、第三坐标和第四坐标包围的四边形区域内。所述第一坐标为(0.05，6.5×10‑4)。所述第二坐标为(0.05，4.5×10‑3)。所述第三坐标为(0.22，1.2×10‑2)。所述第四坐标为(0.22，1.3×10‑1)。在所述形成碳化硅层的步骤之后，所述碳化硅层的载流子浓度的平均值为1×1015cm‑3以上且2×1016cm‑3以下。

主权项

一种制造碳化硅外延基板的方法，所述方法包含：将碳化硅单晶基板放置在反应室中的步骤；以及通过向所述反应室供应包含硅烷、氨气和氢气的混合气体而在所述碳化硅单晶基板上形成碳化硅层的步骤，所述碳化硅单晶基板具有100mm以上的最大直径，在所述形成碳化硅层的步骤中，当X轴代表以百分比表示通过将所述硅烷的流量除以所述氢气的流量而获得的值的第一值且Y轴代表以sccm表示所述氨气的流量的第二值时，所述第一值和所述第二值落在由XY平面坐标中的第一坐标、第二坐标、第三坐标和第四坐标包围的四边形区域内，所述第一坐标为(0.05，6.5×10‑4)，所述第二坐标为(0.05，4.5×10‑3)，所述第三坐标为(0.22，1.2×10‑2)，所述第四坐标为(0.22，1.3×10‑1)，在所述形成碳化硅层的步骤之后，所述碳化硅层的载流子浓度的平均值为1×1015cm‑3以上且2×1016cm‑3以下。