[发明专利]贴合式SOI晶圆的制造方法有效
| 申请号： | 201680049105.3 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN108028170B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 石冢彻;中野正刚 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种贴合式SOI晶圆的制造方法，将均自硅单晶所构成的接合晶圆以及基底晶圆经由硅氧化膜贴合而制造贴合式SOI晶圆，该制造方法包含：准备电阻率为100Ω·cm以上且初期晶格间氧浓度为10ppma以下的单晶硅晶圆而作为基底晶圆的步骤；通过在氧化性氛围下，对基底晶圆实施700℃以上1000℃以下的温度且5小时以上的热处理而于基底晶圆表面形成硅氧化膜的步骤；经由硅氧化膜将基底晶圆及接合晶圆贴合的步骤，以及将经贴合的接合晶圆薄膜化而形成SOI层的步骤。由此能抑制SOI晶圆制造步骤中的基底晶圆的滑动差排的发生的同时，有效地进行为了抑制电阻率的变动的供体消去。 | ||
| 搜索关键词： | 贴合 soi 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种贴合式SOI晶圆的制造方法，将均自硅单晶所构成的接合晶圆以及基底晶圆经由硅氧化膜贴合而制造贴合式SOI晶圆，该贴合式SOI晶圆的制造方法包含：准备步骤，准备电阻率为100Ω·cm以上且初期晶格间氧浓度为10ppma以下的单晶硅晶圆，作为该基底晶圆；形成步骤，通过在氧化性氛围下，对该基底晶圆实施700℃以上1000℃以下的温度且5小时以上的热处理，而于该基底晶圆表面形成硅氧化膜；贴合步骤，经由该硅氧化膜而将该基底晶圆及该接合晶圆贴合；以及薄膜化步骤，将经贴合的该接合晶圆予以薄膜化而形成SOI层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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