[发明专利]基于硅的熔融组合物和使用其的SiC单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201680048915.7 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107924814B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 郑粲烨;李虎林;高正旼;金大星;李星秀;殷畅鲜 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;谭天 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及通过溶液法形成SiC单晶的基于硅的熔融组合物，所述组合物包含硅、碳、和金属，所述金属对于由以下式(1)定义的溶解度参数(C |
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| 搜索关键词： | 基于 熔融 组合 使用 sic 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅的熔融组合物，包含：硅、碳、和金属，所述金属对于由以下式(1)定义的溶解度参数(Csisol)满足0.70≤Csisol≤1.510，其中通过溶液法使用所述基于硅的熔融组合物形成SiC单晶：Csisol＝A‑B+μ1‑μ2 式(1)在式(1)中，A是在包含金属原子和碳原子的硅晶格中的包含硅原子、碳原子、和金属原子的第一评估晶格的第一能量(A)；B是在包含金属原子的硅晶格中的包含硅原子和金属原子的第二评估晶格的第二能量(B)；μ1是作为常数值的‑5.422，其是通过具有金刚石晶体结构的硅的总能量除以在单元晶格中存在的硅原子的数目而获得的化学势；μ2是作为常数值的‑9.097，其是通过具有金刚石晶体结构的碳的总能量除以在单元晶格中存在的碳原子的数目而获得的化学势。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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