[发明专利]从熔体形成结晶片的装置在审
| 申请号： | 201680048202.0 | 申请日： | 2016-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN107923063A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 孙大伟;彼德·L·凯勒曼;葛列格里·斯罗森 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B11/04;C30B29/20 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马爽,臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种从熔体拉制结晶片的装置。所述装置可包括坩埚，用以容纳所述熔体并具有挡坝结构，其中所述熔体包括暴露表面，所述暴露表面具有由所述挡坝结构的顶部界定的水平高度。所述装置可进一步包括支撑装置，所述支撑装置安置于所述坩埚内并具有上表面，其中当在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时，所述结晶片保持与所述熔体的所述暴露表面齐平，且所述装置可包括回熔加热器，所述回熔加热器经由所述支撑装置的所述上表面引导热量，以在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时使所述结晶片部分地熔融。 | ||
| 搜索关键词： | 体形 结晶 装置 | ||
【主权项】：
一种从熔体拉制结晶片的装置，其特征在于，包括：坩埚，用以容纳所述熔体并具有挡坝结构，所述熔体包括暴露表面，所述暴露表面具有由所述挡坝结构的顶部界定的水平高度；支撑装置，安置于所述坩埚内并具有上表面，其中当在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时，所述结晶片保持与所述熔体的所述暴露表面齐平；以及回熔加热器，经由所述支撑装置的所述上表面引导热量，以在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时使所述结晶片部分地熔融。
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