[发明专利]固体摄像器件、电子设备和用于形成图像传感器的方法有效
申请号: | 201680045325.9 | 申请日: | 2016-08-03 |
公开(公告)号: | CN107924928B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 山口哲司;庆野聡志 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了固体摄像器件、电子设备和用于形成图像传感器的方法。所述固体摄像器件或者包括所述固体摄像器件的所述电子设备可以包括基板和形成在所述基板中的至少第一光电转换元件。此外,形成有低介电常数区域。该低介电常数区域可以包括形成在所述基板中的局部薄区域。在所述基板的第一侧处具有绝缘膜。在包括所述局部薄区域的区域中,层间绝缘膜可以延伸至该局部薄区域中。在所述层间绝缘膜的与所述基板相反的一侧处具有第一电极。所述固体摄像器件还包括第二电极和光电转换层,所述光电转换层至少部分地位于所述第一电极和所述第二电极之间。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 电子设备 用于 形成 图像传感器 方法 | ||
【主权项】:
固体摄像器件,其包括:基板;至少第一光电转换元件,形成在所述基板中;局部薄区域,形成在所述基板中;层间绝缘膜,位于所述基板的第一侧处,且所述层间绝缘膜延伸至所述局部薄区域中;第一电极,位于所述层间绝缘膜的与所述基板相反的一侧处;第二电极;和光电转换层,至少部分地位于所述第一电极和所述第二电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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