[发明专利]包括含硫族化物的光伏光吸收剂的光伏装置和相关制造方法在审

专利信息
申请号: 201680044548.3 申请日: 2016-08-01
公开(公告)号: CN107924959A 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: B·古德费洛;P·D·保尔森 申请(专利权)人: 陶氏环球技术有限责任公司;纽升股份有限公司
主分类号: H01L31/0392 分类号: H01L31/0392;H01L31/18;H01L31/0749;H01L31/032;C23C14/58;H01L21/02;C23C14/06
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 吴亦华
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开涉及光伏装置,包括具有由至少第一区域、第二区域和第三区域界定的组成分布的含硫族化物的光伏光吸收剂。所述第二区域位于所述第一区域与所述第三区域与之间。所述含硫族化物的光伏光吸收剂的每一区域包括Cu、In、Ga、Al和至少一种硫族元素。所述第二区域中存在的Al浓度小于所述第一区域和所述第三区域中的每一个中存在的Al浓度。还公开制造这类含硫族化物的光伏光吸收剂的方法。
搜索关键词: 包括 含硫族化物 光伏光 吸收剂 装置 相关 制造 方法
【主权项】:
一种光伏装置,包含:a)衬底;b)第一电极,位于所述衬底的上方;c)含至少一种硫族化物的光伏光吸收剂,位于所述第一电极的上方并电连接到所述第一电极;其中所述含硫族化物的光伏光吸收剂具有由至少第一区域、第二区域和第三区域界定的组成分布;其中所述第一区域位于所述第一电极近侧,所述第二区域位于所述第一区域与所述第三区域之间,且所述第三区域位于所述第一电极远侧;其中所述含硫族化物的光伏光吸收剂的每一个区域包含Cu、In、Ga、Al和至少一种硫族元素;且其中所述第二区域中存在的Al浓度小于所述第一区域和所述第三区域中的每一个中存在的Al浓度;d)n型半导体区域,位于所述含至少一种硫族化物的光伏光吸收剂的上方;以及e)第二电极,位于所述n型半导体区域的上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陶氏环球技术有限责任公司;纽升股份有限公司,未经陶氏环球技术有限责任公司;纽升股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680044548.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top