[发明专利]氮化物半导体晶圆及其制造方法、以及氮化物半导体紫外线发光元件及装置

摘要

防止伴随紫外线发光动作的起因于填充在电极间的树脂的电特性劣化。一种在基板(12)上具有紫外线发光元件的氮化物半导体晶圆，该紫外线发光元件具备：具有n型AlGaN层(16)、由AlGaN层构成的活性层(17)、p型AlGaN层(19、20)的半导体层叠部(21)；n电极(23)；p电极(22)；保护绝缘膜(24)；第1及第2镀覆电极(25、26)；以及氟树脂膜(27)，在第1区域(R1)的p型AlGaN层上表面形成p电极，在第2区域(R2)的n型AlGaN层上表面形成n电极，保护绝缘膜具有n电极和p电极的至少一部分露出的开口部，第1镀覆电极与第2镀覆电极隔离而与p电极接触，将第1区域(R1)的上表面及外周侧面的整面、与第1区域(R1)相接的第2区域(R2)的一部分覆盖，第2镀覆电极与n电极接触，氟树脂膜(27)将第1及第2镀覆电极的侧壁面及间隙部(31)的底面覆盖。

主权项

一种在基板上将多个元件单位以矩阵状排列而形成的氮化物半导体晶圆，其特征在于，所述元件单位分别是具备以下部分的氮化物半导体紫外线发光元件：将包含n型AlGaN系半导体层的第1半导体层、包含AlGaN系半导体层的活性层、以及包含p型AlGaN系半导体层的第2半导体层层叠而形成的半导体层叠部；由1个或多个金属层形成n电极；由1个或多个金属层形成的p电极；绝缘保护膜；与所述p电极的未被所述保护绝缘膜覆盖的露出面接触的第1镀覆电极；与所述n电极的未被所述保护绝缘膜覆盖的露出面接触的第2镀覆电极；以及氟树脂膜，在各个所述元件单位，所述半导体层叠部形成为，当在与所述半导体层叠部的表面平行的面内将1个所述元件单位所占有的区域作为元件区域时，在所述元件区域内的一部分的第1区域，在所述第1半导体层上层叠所述活性层和所述第2半导体层，在所述元件区域内的所述第1区域以外的第2区域，使所述第1半导体层露出，所述n电极形成在所述第2区域内的所述第1半导体层的露出面上，所述p电极形成在所述第2半导体层的最上表面，所述保护绝缘膜形成为，至少覆盖所述半导体层叠部的所述第1区域的外周侧面的整面、所述第1区域与所述n电极之间的所述第1半导体层的上表面、以及所述n电极的包含外周端缘部之内的至少与所述第1区域对置的部分在内的上表面和侧面，并且不覆盖所述n电极的表面的至少一部分及所述p电极的表面的至少一部分而使其露出，所述第1镀覆电极和所述第2镀覆电极分别由以下部分构成：由铜或以铜作为主成分的合金形成的主体电极；以及覆盖所述主体电极的上表面及侧壁面的最外层是金或白金族金属的1层或多层的表面金属膜，再者，所述第1镀覆电极形成为，与所述第2镀覆电极隔离，并覆盖包含所述p电极的露出面的所述第1区域的上表面的整面、被所述保护绝缘膜覆盖的所述第1区域的外周侧面的整面、以及作为所述第2区域的一部分的与所述第1区域相接的边界区域，所述氟树脂膜至少将所述第1镀覆电极的侧壁面的除上端部以外的部分、所述第2镀覆电极的侧壁面的除上端部以外的部分、以及在所述第1镀覆电极与所述第2镀覆电极间的间隙部露出的所述保护绝缘膜的露出面的除外周端以外的部分分别连续地覆盖。