[发明专利]在单晶硅上生长外延3C‑SiC在审
| 申请号： | 201680042627.0 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107849730A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | M·米罗诺夫;G·科尔斯顿;S·黑德 | 申请（专利权）人： | 华威大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/10;C23C16/32;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 潘怀仁,王珍仙 |
| 地址： | 英国沃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种用于在单晶硅上生长外延3C‑SiC的方法。该方法包括在冷壁化学气相沉积反应器(7)中提供单晶硅基板(2)，将基板加热到大于或等于700℃且小于或等于1200℃的温度，当基板处于所述温度时，将气体混合物(41)引入反应器中，所述气体混合物包括硅源前体(16)、碳源前体(18)和载气(24)，以在单晶硅上沉积3C‑SiC的外延层(图1；4)。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 外延 sic | ||
【主权项】：
一种在单晶硅上生长外延3C‑SiC的方法，所述方法包括：在冷壁化学气相沉积反应器(7)中提供单晶硅基板(2)；将所述基板加热到大于或等于700℃且小于或等于1200℃的温度；当所述基板处于所述温度时，将气体混合物(33)引入所述反应器中，所述气体混合物包括硅源前体(16)、碳源前体(18)和载气(20)，以在所述单晶硅上沉积3C‑SiC的外延层(4)。
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