[发明专利]用于相位对比和/或暗场成像的X射线探测器有效

专利信息
申请号: 201680042519.3 申请日: 2016-07-20
公开(公告)号: CN107850680B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: R·普罗克绍 申请(专利权)人: 皇家飞利浦有限公司
主分类号: G01T1/20 分类号: G01T1/20;A61B6/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 李光颖;王英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及X射线成像。为了减少X射线图像采集期间的X射线剂量曝光,提供了适于相位对比和/或暗场成像的X射线探测器。所述X射线探测器包括闪烁体层(12)和光电二极管层(14)。闪烁体层被配置为将由相位光栅结构(18)调制的入射X射线辐射(16)转换为要由光电二极管层探测的光。闪烁体层包括周期性地布置有间距(22)的闪烁体通道(20)的阵列以形成分析器光栅结构。闪烁体层和光电二极管层形成包括像素(26)的矩阵的第一探测器层(24)。每个像素包括光电二极管(28)的阵列,每个光电二极管形成子像素(30)。操作期间邻近子像素接收具有相互移位的相位的信号。在操作期间接收具有相互相同的相位的信号的子像素形成每像素的相位组。在操作期间由每像素的相同相位组内的子像素接收的信号被组合以提供一个相位组信号(32)。在一个图像采集中获得操作期间的不同相位组的相位组信号。在范例中,通过将校正因子c应用于由相位光栅结构创建的周期性干涉图样(35)的条纹周期(P条纹)来使闪烁体通道的间距失谐,其中,0c2。
搜索关键词: 用于 相位 对比 暗场 成像 射线 探测器
【主权项】:
一种用于相位对比成像和/或暗场成像的X射线探测器(10),包括:‑闪烁体层(12);以及‑光电二极管层(14);其中,所述闪烁体层被配置为将由相位光栅结构(18)调制的入射X射线辐射(16)转换为要由所述光电二极管层探测的光;其中,所述闪烁体层包括周期性地布置有间距(22)的闪烁体通道(20)的阵列以形成分析器光栅结构;其中,所述闪烁体层和所述光电二极管层形成包括像素(26)的矩阵的第一探测器层(24);其中,每个像素包括光电二极管(28)的阵列,每个光电二极管形成子像素(30);其中,在操作期间邻近子像素接收具有相互移位的相位的信号;其中,在操作期间接收具有相互相同的相位的信号的子像素形成每像素的相位组;其中,在操作期间由每像素的相同相位组内的子像素接收到的信号被组合以提供一个相位组信号(32);并且其中,在一个图像采集中获得操作期间的不同相位组的所述相位组信号;并且其中,通过将校正因子c应用于由所述相位光栅结构创建的周期性干涉图样(35)的条纹周期(p条纹)来使所述闪烁体通道的所述间距失谐,其中,0<c<2。
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