[发明专利]光刻设备和器件制造方法有效

专利信息
申请号: 201680040943.4 申请日: 2016-07-07
公开(公告)号: CN107850861B 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: F·G·C·比恩;E·M·休瑟博斯 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;吕世磊
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 描述了光刻设备,设备包括:照射系统,被配置为调节辐射束;支撑件,被构造为支撑图案形成装置,图案形成装置能够在辐射束的截面中向辐射束赋予图案以形成经图案化的辐射束;衬底台,被构造为保持衬底;以及投影系统,被配置为将经图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上,其中设备还包括对准系统,对准系统被配置为针对衬底上存在的一个或多个对准标记来执行:‑通过应用相应的多个不同的对准测量参数来针对对准标记进行多个对准标记位置测量,从而获得针对对准标记的多个测量的对准标记位置;设备进一步包括处理单元,处理单元被配置为:‑针对多个对准标记位置测量中的每一个,确定作为预期对准标记位置与所测量的对准标记位置之间的差异的位置偏差,所测量的对准标记位置是基于相应的对准标记位置测量来确定的;‑定义作为位置偏差的可能原因的函数集合,函数集合包括:表示衬底的变形的衬底变形函数、以及表示一个或多个对准标记的变形的至少一个标记变形函数;‑生成矩阵等式PD=M*F,由此将包括位置偏差的向量PD设置为等于由权重系数矩阵M表示的、向量F的加权组合,向量F包括衬底变形函数和至少一个标记变形函数,由此与至少一个标记变形函数相关联的权重系数根据所应用的对准测量而变化;‑确定矩阵M的权重系数的值;‑确定矩阵M的逆矩阵或伪逆矩阵,由此获得衬底变形函数的值作为位置偏差的加权组合;‑应用衬底变形函数的值来执行目标部分与经图案化的辐射束的对准。
搜索关键词: 光刻 设备 器件 制造 方法
【主权项】:
一种光刻设备,包括:照射系统,被配置为调节辐射束;支撑件,被构造为支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够在所述辐射束的截面中向所述辐射束赋予图案,以形成经图案化的辐射束;衬底台,被构造为保持衬底;以及投影系统,被配置为将所述经图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上,其中所述设备进一步包括对准系统,所述对准系统被配置为针对所述衬底上存在的一个或多个对准标记执行:‑通过应用相应的多个不同的对准测量参数来针对所述对准标记进行多个对准标记位置测量,从而获得针对所述对准标记的多个测量的对准标记位置;所述设备还包括处理单元,所述处理单元被配置为:‑针对所述多个对准标记位置测量中的每一个,确定作为预期对准标记位置与所测量的对准标记位置之间的差异的位置偏差,所测量的对准标记位置是基于所述相应的对准标记位置测量来确定的;‑定义作为所述位置偏差的可能原因的函数集合,所述函数集合包括表示所述衬底的变形的衬底变形函数以及表示所述一个或多个对准标记的变形的至少一个标记变形函数;‑生成矩阵等式PD=M*F,由此将包括所述位置偏差的向量PD设置为等于由权重系数矩阵M表示的、向量F的加权组合,所述向量F包括所述衬底变形函数和所述至少一个标记变形函数,由此与所述至少一个标记变形函数相关联的权重系数根据所应用的对准测量而变化;‑确定所述矩阵M的所述权重系数的值;‑确定所述矩阵M的逆矩阵或伪逆矩阵,由此获得所述衬底变形函数的值作为所述位置偏差的加权组合;‑应用所述衬底变形函数的所述值来执行所述目标部分与所述经图案化的辐射束的对准。
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