[发明专利]输入/输出(I/O)驱动器有效

专利信息
申请号: 201680039561.X 申请日: 2016-06-06
公开(公告)号: CN107710620B 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: M·阿金 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 李小芳;袁逸
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本文提供了I/O驱动器(200)和相关方法。该I/O驱动器(200)包括用于加快将相应输出FET(上拉P1、下拉N1)配置成在线性区中操作以减小输入信号(Do)的转变与输出信号(Vo)的相应转变之间的延迟的电路系统。另外,该I/O驱动器(200)包括用于控制输出信号(P1、N1的共用节点,Vo)从低逻辑状态转变至高逻辑状态(或反之)的转换速率的电路系统(220、210、IP、IN、Cfp、Cfn)。此外,该I/O驱动器包括用于在导通其他输出FET(N1作为示例)之前关断所导通的输出FET(P1作为示例)的电路系统(210、220、IP、IN、Cfp、Cfn)。这防止“击穿”电流流经这些输出FET(P1、N1)以降低与该I/O驱动器(200)相关联的功耗。
搜索关键词: 输入 输出 驱动器
【主权项】:
1.一种被配置成基于输入信号来生成输出信号的装置,包括:第一场效应晶体管,其包括第一漏极、第一源极和第一栅极;第二场效应晶体管,其包括第二漏极、第二源极和第二栅极,其中所述第一源极、所述第一漏极、所述第二漏极和所述第二源极串联耦合在第一电压轨与第二电压轨之间,其中所述输出信号是在所述第一场效应晶体管的所述第一漏极和所述第二场效应晶体管的所述第二漏极之间的输出节点处生成的;耦合在所述第一场效应晶体管的所述第一漏极和所述第一栅极之间的第一反馈电容器;耦合在所述第二场效应晶体管的所述第二漏极和所述第二栅极之间的第二反馈电容器;耦合在所述第一场效应晶体管的所述第一栅极与所述第二电压轨之间的第一电流源,其中所述第一电流源被配置成响应于所述输入信号的高逻辑状态而生成第一电流,所述第一电流使第一栅极电压减小以导通所述第一场效应晶体管以将所述第一电压轨耦合至所述输出节点;耦合在所述第一电压轨与所述第二场效应晶体管的所述第二栅极之间的第二电流源,其中所述第二电流源被配置成响应于所述输入信号的低逻辑状态而生成第二电流,所述第二电流使第二栅极电压增大以导通所述第二场效应晶体管以将所述输出节点耦合至所述第二电压轨;以及控制电路,其被配置成:基于所述第一场效应晶体管的所述第一栅极处的第一栅极电压来控制所述第一电流源;以及基于所述第二场效应晶体管的所述第二栅极处的第二栅极电压来控制所述第二电流源。
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