[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，在具有第1主面(50a)及其背面的第2主面(50b)的半导体基板(50)中，一并设置有具有集电极区域(14)的IGBT单元(10)、和具有阴极区域(22)的二极管单元(20)，在漂移区域(17)中具备第1缺陷层(15a)和第2缺陷层(15b)。在漂移区域中，在将由界面(Pb)和平面(Pc)包围的区域定义为边界区域时，二极管单元形成为，使漂移区域的第1主面侧的表面之中边界区域所占的面积S、与二极管单元所占的面积SDI满足SDIS的关系，其中，上述界面(Pb)是IGBT单元和二极管单元的与第1主面正交的界面，上述平面(Pc)是穿过作为集电极区域与阴极区域的边界的、沿着集电极区域的漂移区域的界面的边界线、并与第1主面以角度45度交叉的平面。

主权项

一种半导体装置，在具有第1主面(50a)及其背面的第2主面(50b)的半导体基板(50)中，一并设置有在上述第2主面的表层具有集电极区域(14)的IGBT单元(10)、和在上述第2主面的表层具有阴极区域(22)的二极管单元(20)，在上述第1主面与上述第2主面之间具备作为电荷的移动路径的漂移区域(17)；上述半导体装置还具备：作为晶格缺陷层(15)的第1缺陷层(15a)，形成在上述二极管单元中的上述漂移区域，通过离子照射而形成；以及第2缺陷层(15b)，与上述第1缺陷层同时形成，上述第1缺陷层从上述二极管单元向上述IGBT单元侧延长从而伸出并形成该第2缺陷层；上述半导体装置的特征在于，在上述漂移区域，在将由界面(Pb)和平面(Pc)包围的区域定义为边界区域时，上述二极管单元形成为，使上述漂移区域的第1主面侧的表面之中上述边界区域所占的面积S、与上述二极管单元所占的面积SDI满足SDI>S的关系，其中，上述界面(Pb)是上述IGBT单元和上述二极管单元的与上述第1主面正交的界面，上述平面(Pc)是穿过作为上述集电极区域与上述阴极区域的边界的、沿着上述集电极区域的上述漂移区域的界面的边界线、并与上述第1主面以角度45度交叉的平面。