[发明专利]用于在金属栅极上选择性地形成氮化物帽体的方法和设备

摘要

在导体的上表面上生长牺牲帽体。电介质间隔件抵接导体的一侧。上层电介质间隔件形成在牺牲帽体的侧壁上。选择性地蚀刻牺牲帽体，留下帽体凹陷，以及面对所述帽体凹陷的上层电介质层间隔件。在帽体凹陷中填充氮化硅，以形成中心帽体，以及具有中心帽体和上层电介质间隔件的保护性帽体。

主权项

一种在半导体电路中金属元件上形成保护性帽体的方法，包括：在所述金属元件的上表面上无电沉积牺牲元件，其中所述牺牲元件包括牺牲元件侧壁，其中所述牺牲元件被配置为与所述金属元件对准；形成加工过程中的帽体间隔件，其中所述加工过程中的帽体间隔件包括电介质材料并且被配置为与所述牺牲元件侧壁共形；移除所述牺牲元件，从而留下凹陷，其中所述凹陷被至少部分地由所述加工过程中的帽体间隔件以及由所述金属元件的上表面所限定；在所述凹陷中沉积氮化物填充，以形成加工过程中的氮化物帽体，其中所述加工过程中的氮化物帽体具有加工过程中的帽体侧壁，其中所述加工过程中的帽体侧壁与所述加工过程中的帽体间隔件共形；以及平坦化所述加工过程中的氮化物帽体和所述加工过程中的帽体间隔件以形成作为氮化物帽体和共形帽体间隔件的所述保护性帽体。