[发明专利]用于场发射阴极的纳米结构的制造方法有效
| 申请号： | 201680028785.0 | 申请日： | 2016-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107636790B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 乔纳斯·迪伦;简奥托·卡尔松;奥丽萨·尼康欧娃 | 申请（专利权）人： | 光学实验室公司（瑞典） |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;H01J63/02;H01J63/06;C30B7/14;C30B29/16 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 刘晓春 |
| 地址： | 瑞典乌*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及场发射照明领域，具体涉及一种场发射阴极的形成方法。所述方法包括：将生长基底置于包含Zn基生长剂的生长溶液中，所述生长溶液在室温下具有预定义的pH值；升高生长溶液的pH值以达到成核阶段；当升高溶液的pH时就开始成核。然后通过降低pH值进入生长阶段。纳米棒的长度由生长时间决定。通过升高pH值来终止该过程以形成尖锐的尖端。本发明还涉及用于这种场发射阴极的结构以及包括该场发射阴极的照明装置。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发射 阴极 纳米 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成用于场发射阴极的多个ZnO纳米结构的方法，所述方法包括如下步骤：提供生长基底；提供包含Zn基生长剂的生长溶液，所述生长溶液在室温下具有预定义的初始pH值；将所述生长基底布置在所述生长溶液中；升高所述生长溶液的所述pH值以达到在所述基底上形成成核位点的成核阶段；降低所述pH值以从所述成核阶段过渡到生长阶段；使所述纳米结构生长预定的生长时间；以及升高所述pH值以从所述生长阶段过渡到尖端形成阶段。
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