[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

半导体装置(1)具备：电极(22)，具有平坦部、和由凹部构成的非平坦部(6)；接合层(3)，设置于电极(22)的平坦部及非平坦部(6)上，由金属晶粒的烧结体构成；以及半导体元件(4)、(5)，隔着接合层(3)与电极(22)接合，接合层(3)具有被非平坦部(6)和半导体元件(4)、(5)夹住的第一区域(3a)、和被平坦部和半导体元件(4)、(5)夹住的第二区域(3b)，第一区域(3a)以及第二区域(3b)中的层厚大的一方的区域的金属晶粒的填充率小于层厚小的一方的区域的金属晶粒的填充率。通过本发明，基于金属晶粒的烧结体的接合层的可靠性变得良好。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘板；电极，设置于所述绝缘板上，具有平坦部和由凹部或者凸部构成的非平坦部；接合层，设置于所述电极的所述平坦部及所述非平坦部上，由金属晶粒的烧结体构成；以及半导体元件，隔着所述接合层与所述电极接合，所述接合层具有：第一区域，被所述非平坦部和所述半导体元件夹住；以及第二区域，被所述平坦部和所述半导体元件夹住，所述第一区域以及所述第二区域中的层厚大的一方的区域的所述金属晶粒的填充率小于所述第一区域以及所述第二区域中的层厚小的一方的区域的所述金属晶粒的填充率。