[发明专利]半导体装置以及其制造方法

摘要

半导体装置具备至少一个薄膜晶体管(100、200)，该至少一个薄膜晶体管(100、200)具有：半导体层(3A、3B)，其具有通道区域(31A、31B)、高浓度杂质区域以及位于通道区域与高浓度杂质区域之间的低浓度杂质区域(32A、32B)；设置在栅极绝缘层(5)之上的栅极电极(7A、7B)；形成在栅极电极上的层间绝缘层(11)；以及源极电极(8A、8B)及漏极电极(9A、9B)；在层间绝缘层及栅极绝缘层设置有到达半导体层的接触孔，源极电极(8A、8B)及漏极电极(9A、9B)中的至少一方在接触孔内与高浓度杂质区域相接，在接触孔的侧壁上，栅极绝缘层及层间绝缘层的侧面匹配，在半导体层的上表面，接触孔的缘部与高浓度杂质区域的缘部匹配。

主权项

一种半导体装置，其在基板上具备至少一个薄膜晶体管，其特征在于，所述至少一个薄膜晶体管具备：半导体层，其具有通道区域、包含第一导电型的杂质的高浓度杂质区域、以及位于所述通道区域与所述高浓度杂质区域之间以低于所述高浓度杂质区域且高于所述通道区域的浓度包含所述第一导电型的杂质的低浓度杂质区域；栅极绝缘层，其形成在所述半导体层之上；栅极电极，其设置在所述栅极绝缘层之上，配置成至少与所述通道区域重叠；层间绝缘层，其形成在所述栅极电极及所述栅极绝缘层上；以及源极电极及漏极电极，其等与所述半导体层连接；在所述层间绝缘层及所述栅极绝缘层设置有到达所述半导体层的接触孔，所述源极电极及漏极电极中的至少一方形成在所述层间绝缘层上及所述接触孔内，并在所述接触孔内与所述高浓度杂质区域相接；在所述接触孔的侧壁上，所述栅极绝缘层及所述层间绝缘层的侧面匹配；在所述半导体层的上表面，所述接触孔的缘部与所述高浓度杂质区域的缘部匹配。