[发明专利]清洁制剂在审
| 申请号： | 201680018736.9 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN107406810A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 稻冈诚二;W·J·小卡斯泰尔;刘文达 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C11D7/26 | 分类号： | C11D7/26;C11D7/50;C11D7/32;C11D7/08;C11D7/10;C11D11/00;H01L21/02;H01L21/311;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 吴亦华,徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述了用于从图案化微电子器件去除含有铜的蚀刻后和/或灰化后残留物的组合物和方法。该去除组合物包含水、氟离子源、烷醇胺、硫酸和有机酸。该组合物从微电子器件有效去除含铜和钴的蚀刻后残留物，而不损害暴露的低k电介质和金属互连材料。 | ||
| 搜索关键词： | 清洁 制剂 | ||
【主权项】：
一种可用于从半导体衬底去除残留物的组合物，所述组合物包含：约25重量％至约80重量％的水；基于活性物质，约0.01重量％至约5重量％的氟离子源；约0.01重量％至约10重量％的硫酸；约1重量％至约50重量％的烷醇胺；约1重量％至约25重量％的有机酸，其中所述组合物的pH为7至9。
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