[发明专利]用于绝缘体上半导体结构的制造的热稳定电荷捕获层

摘要

用在绝缘体上半导体(例如，绝缘体上硅(SOI))结构的制造中的单晶半导体处理衬底被蚀刻，以在晶片的前表面区域中形成多孔层。被蚀刻的区域被氧化且然后被填充有可以为多晶或非晶的半导体材料。表面被抛光以使其呈现可被接合至半导体施体衬底。在被抛光的表面上执行层转移，由此产生具有以下4个层的绝缘体上半导体(例如，绝缘体上硅(SOI))结构处理衬底、包括被填充的孔的复合层、介电层(例如，掩埋氧化物)、以及器件层。该结构可用作制作射频芯片中的初始衬底。所得芯片具有被抑制的寄生效应，特别地，在掩埋氧化物下方没有被诱发的导电通道。

主权项

一种多层结构，其包括：单晶半导体处理衬底，其包括：两个大体上平行的主表面，其中一者为所述单晶半导体处理衬底的前表面，另一者为所述单晶半导体处理衬底的背表面；周边边缘，其接合所述单晶半导体处理衬底的所述前表面和所述背表面；中心平面，其介于所述单晶半导体处理衬底的所述前表面与所述背表面之间；前表面区域，其具有从所述前表面朝向所述中心平面所测量的深度D；以及体区域，其介于所述单晶半导体处理衬底的所述前表面与所述背表面之间，其中所述前表面区域包括孔，所述孔中每一个包括底表面和侧壁表面，进一步地，其中所述孔被填充有非晶半导体材料、多晶半导体材料或半导体氧化物；介电层，其与所述单晶半导体处理衬底的所述前表面接触；以及单晶半导体器件层，其与所述介电层接触。