[发明专利]基于大信号等效电路模型的GaN器件工艺参数统计分析方法有效
| 申请号： | 201680014212.2 | 申请日： | 2016-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107636656B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 徐跃杭;闻彰;徐锐敏;延波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/30 | 分类号： | G06F30/30 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王戈 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 提出一种基于GaN器件等效电路模型的工艺参数分析方法，所述分析方法包括：步骤一：建立GaN器件小信号等效电路模型，提取小信号模型参数；步骤二：建立GaN器件大信号等效电路模型，提取大信号模型参数，即非线性电流源模型参数和非线性电容模型参数；步骤三：以器件的实测微波特性为目标，调谐优化大信号模型参数；步骤四：基于建立的大信号模型提取多批次GaN器件的工艺参数，并对所述工艺参数进行统计分析。上述GaN器件模型的工艺参数的统计分析方法首先建立GaN器件小信号等效电路模型，然后建立工艺参数关联的GaN器件大信号等效电路模型，通过多批次器件建模最终获得工艺参数统计分布，有用于器件成品率分析和工艺参数优化。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 信号 等效电路 模型 gan 器件 工艺 参数 统计分析 方法 | ||
【主权项】：
一种基于大信号等效电路模型的GaN器件工艺参数统计分析方法，其特征在于：所述统计分析方法包括：步骤一：建立GaN器件小信号等效电路模型，提取小信号模型参数；步骤二：建立GaN器件工艺参数关联的大信号等效电路模型，提取大信号模型参数，所述大信号模型参数包括非线性电流源模型参数和非线性电容模型参数；步骤三：以器件的实测微波特性为目标，调谐优化大信号模型参数；步骤四：基于建立的大信号模型提取多批次GaN器件的工艺参数，并对所述工艺参数进行统计分析。
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