[发明专利]研磨用组合物有效
| 申请号： | 201680009819.1 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN107396639B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 井泽由裕 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09G1/02;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供可以以更高的研磨速度对单质硅进行研磨的研磨用组合物。本发明的研磨用组合物用于对包含单质硅和除单质硅以外的含硅化合物的研磨对象物进行研磨的用途，该研磨用组合物包含磨粒和分散介质，前述磨粒的单位表面积的硅烷醇基数超过0个/nm |
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| 搜索关键词： | 研磨 组合 | ||
【主权项】：
一种研磨用组合物，其用于对包含单质硅和除单质硅以外的含硅化合物的研磨对象物进行研磨的用途，该研磨用组合物包含磨粒和分散介质，所述磨粒的单位表面积的硅烷醇基数超过0个/nm2且为2.0个/nm2以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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