[发明专利]具有辐射转换元件的光电子装置和用于制造辐射转换元件的方法有效
申请号: | 201680007846.5 | 申请日: | 2016-01-26 |
公开(公告)号: | CN107209413B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 沃尔夫冈·门希;布丽塔·格厄特茨;弗兰克·辛格;马丁·斯特拉斯伯格;蒂尔曼·申普克 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;H01L33/46;H01L33/48;H01L33/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;李建航 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提出一种光电子装置(1),其具有半导体芯片(2),所述半导体芯片具有设为用于产生辐射的有源区域,其中‑沿放射方向(21)在半导体芯片下游设置有辐射转换元件(3);‑辐射转换元件具有多个转换体(4),所述转换体分别具有对称轴线(40);‑对称轴线的空间定向具有优先方向(45);‑由辐射转换元件(3)放射的辐射具有优先偏振(48);并且‑光电子装置具有进行反射的偏振元件(5),所述偏振元件沿放射方向设置在辐射转换元件下游,其中进行反射的偏振元件允许具有优先偏振的辐射大部分地通过,并且将垂直于优先偏振来偏振的辐射大部分地反射。此外,提出一种用于制造辐射转换元件(3)的方法。 | ||
搜索关键词: | 具有 辐射 转换 元件 光电子 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光电子装置(1),其具有半导体芯片(2),所述半导体芯片具有设为用于产生辐射的有源区域,其中‑沿放射方向(21)在所述半导体芯片下游设置有辐射转换元件(3);‑所述辐射转换元件具有多个转换体(4),所述转换体分别具有对称轴线(40);‑所述对称轴线的空间定向具有优先方向(45);‑由所述转换体放射的辐射具有优先偏振(48);并且‑所述光电子装置具有进行反射的偏振元件(5),所述偏振元件沿放射方向设置在所述辐射转换元件下游,其中进行反射的所述偏振元件允许具有所述优先偏振的辐射大部分地通过,并且将垂直于所述优先偏振来偏振的辐射大部分地反射。
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