[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680002078.4 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN108604588B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 池田康亮 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，其特征在于，包括：第一基板(10)，具有：第一导电层(11)、以及被设置在所述第一导电层(11)上的第一电子元件(12)；以及中间层(20)，被设置在所述第一基板(10)上，并且具有多个连接头、以及固定所述多个连接头的树脂基板部，其中，所述连接头在所述第一基板(10)一侧从所述树脂基板部外露，并且与所述第一导电层(11)或所述第一电子元件(12)相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一基板，具有：第一导电层、以及被设置在所述第一导电层上的第一电子元件；以及中间层，被设置在所述第一基板上，并且具有：多个连接头、以及固定所述多个连接头的树脂基板部，其中，所述连接头在所述第一基板一侧从所述树脂基板部外露，并且与所述第一导电层或所述第一电子元件相连接。
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