[实用新型]一种抗干扰热释电传感器芯片支撑结构有效
| 申请号： | 201621477933.0 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN206312940U | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李龙 | 申请（专利权）人： | 北立传感器技术（武汉）有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/053 | 分类号： | H01L41/053 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 杨立,李蕾 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东西*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种抗干扰热释电传感器芯片支撑结构，包括圆柱形导电柱，所述导电柱上端支撑有芯片，所述导电柱与所述芯片的几何中心相对应；所述芯片与所述导电柱之间设置有导电银胶层，所述导电柱下端与底座相连接，所述底座上还设置有若干个稳定柱，所述稳定柱上端通过绝缘层与所述芯片相连接。本实用新型的有益之处在于该新型中的支撑结构，可以降低对芯片横向、纵向两个方向的应力，并通过空腔结构降低热效应的影响，从而可以有效地降低芯片的麦克风效应，提高传感器的性能稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抗干扰 热释电 传感器 芯片 支撑 结构 | ||
【主权项】：
一种抗干扰热释电传感器芯片支撑结构，其特征在于：包括导电柱(1)，所述导电柱(1)上端支撑有芯片(2)，所述导电柱(1)与所述芯片(2)的几何中心相对应；所述导电柱(1)与所述芯片(2)相连接表面涂覆有导电银胶层，所述导电柱(1)下端与底座(3)相连接，所述底座(3)上还设置有至少两个稳定柱(4)，所述稳定柱(4)与所述芯片(2)连接一面设置有绝缘层。
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