[实用新型]一种GaNHEMT器件有效
| 申请号： | 201621451951.1 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN206322705U | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 黎明 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L29/51 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种GaN HEMT器件，包括由下至上依次形成的衬底、SiN/AlN成核层、GaN缓冲层、AlN/GaN空间隔离层、GaN掺杂层、GaN沟道层、AlN隔离层、AlN势垒层、GaN帽层、锆钛酸铅介质钝化层，形成于锆钛酸铅介质钝化层上的源极、漏极、栅极，源极和漏极分别形成于锆钛酸铅介质钝化层的两端侧，栅极形成于锆钛酸铅介质钝化层上且位于源极和漏极之间，栅极到达源极的距离小于栅极到达漏极的距离，在源极和漏极之间形成有AlGaN结构层，并覆盖栅极，使得栅极、锆钛酸铅介质钝化层以及AlGaN结构层形成绝缘栅极，在AlGaN结构层上且位于栅极与漏极之间设置有一个或多个U型浮空场板，提高了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ganhemt 器件 | ||
【主权项】：
一种GaN HEMT器件，其特征在于，包括由下至上依次形成的衬底、SiN/AlN成核层、GaN缓冲层、AlN/GaN空间隔离层、GaN掺杂层、GaN沟道层、AlN隔离层、AlN势垒层、GaN 帽层、锆钛酸铅介质钝化层，还包括形成于锆钛酸铅介质钝化层上的源极、漏极、栅极，所述源极和漏极分别形成于锆钛酸铅介质钝化层的两端侧，栅极形成于锆钛酸铅介质钝化层上且位于源极和漏极之间，所述栅极到达源极的距离小于栅极到达漏极的距离，在源极和漏极之间形成有AlGaN结构层，并覆盖栅极，使得栅极、锆钛酸铅介质钝化层以及AlGaN结构层形成绝缘栅极，在所述AlGaN结构层上且位于栅极与漏极之间设置有一个或多个U型浮空场板。
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