[实用新型]一种异质结双极晶体管的基极结构有效
| 申请号： | 201621444938.3 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN206480629U | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 郑茂昌 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/737 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人： | 张松亭,陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种异质结双极晶体管的基极结构，包括基极半导体层以及设于所述基极半导体层之上的基极金属，所述基极金属由Pt/Ti/Pt的叠层结构组成，其中第一Pt金属层与所述基极半导体层接触，厚度为3～8nm；Ti金属层设置于所述第一Pt金属层之上，厚度为40～60nm；第二Pt金属层设置于所述Ti金属层之上，厚度为110～150nm。相较于现有技术，本实用新型通过Pt/Ti/Pt三层叠层结构来取代传统含有Au等易扩散金属的基极结构，第二Pt金属层增厚以实现较好的传导效果以及器件整体厚度的平衡，避免了Au等易扩散金属扩散至基极半导体层而导致的漏电问题，提高了器件的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 双极晶体管 基极 结构 | ||
【主权项】：
一种异质结双极晶体管的基极结构，包括基极半导体层以及设于所述基极半导体层之上的基极金属，其特征在于：所述基极金属由Pt/Ti/Pt的叠层结构组成，其中：第一Pt金属层与所述基极半导体层接触，厚度为3～8nm；Ti金属层设置于所述第一Pt金属层之上，厚度为40～60nm；第二Pt金属层设置于所述Ti金属层之上，厚度为110～150nm。
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