[实用新型]基于HPWM调制的逆变电路有效

专利信息
申请号: 201621397199.7 申请日: 2016-12-19
公开(公告)号: CN206251000U 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 许鹏;黄治清;胡德旺 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: H02M7/5387 分类号: H02M7/5387;H02M7/5395
代理公司: 成都希盛知识产权代理有限公司51226 代理人: 濮云杉,杨冬
地址: 610031 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型涉及基于HPWM调制的逆变电路,包括通过驱动电路驱动的DC/AC主功率回路、与所述驱动电路连接的数字控制模块、分别与所述数字控制模块连接输出信号检测电路和输入信号检测电路,以及供电的辅助电源电路,其中在DC/AC主功率回路中包括了由四个MOSFET构成的H桥拓扑结构,所述四个MOSFET的基极分别连接驱动电路的输出端;驱动电路中通过两个双通道栅极驱动芯片驱动所述的四个MOSFET,并且和DC/AC主功率回路隔离。本实用新型能够实现输出交流正弦波形的失真度和效率同时保证最优化,并且实现了DC/AC功率主回路和数字控制模块的相互隔离,避免了因功率主回路发生短路等故障对数字处理芯片造成损坏,同时还实现了对HPWM波的死区和重叠时间的硬件现场编程功能。
搜索关键词: 基于 hpwm 调制 电路
【主权项】:
基于HPWM调制的逆变电路,其特征为:包括通过驱动电路驱动的用于实现逆变的DC/AC主功率回路、与所述驱动电路连接的数字控制模块、分别与所述数字控制模块连接输出信号检测电路和输入信号检测电路,以及为所述驱动电路、数字控制模块、输出信号检测电路和输入信号检测电路供电的辅助电源电路,其中在DC/AC主功率回路中包括了由四个MOSFET(VT1、VT2、VT3、VT4)构成的H桥拓扑结构,所述四个MOSFET(VT1、VT2、VT3、VT4)的基极分别连接驱动电路的输出端;驱动电路中通过两个双通道栅极驱动芯片驱动所述的四个MOSFET(VT1、VT2、VT3、VT4),并且DC/AC主功率回路通过所述的双通道栅极驱动芯片与所述数字控制模块隔离。
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