[实用新型]基于浮栅MOS管的差分型主从JK触发器有效
申请号: | 201621370662.9 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN206237375U | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 胡晓慧;杭国强;杨旸;章丹艳;周选昌;刘承成 | 申请(专利权)人: | 浙江大学城市学院 |
主分类号: | H03K3/012 | 分类号: | H03K3/012;H03K3/3562 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司33101 | 代理人: | 张羽振 |
地址: | 310015*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种基于浮栅MOS管的差分型主从JK触发器,包括输入控制结构、差分结构的主触发器和差分结构的从触发器。本实用新型的有益效果是电路利用了浮栅MOS管所具有的阈值易于控制这一自然属性,无需增加特别的电路,仅需通过在n型浮栅MOS管中增加一个输入端就可以方便的控制电路的开关。差分结构的触发器由于具有互补输出、低功耗、简单的结构等优点,而运用n型浮栅MOS管下拉网络代替了传统的差分型触发器中的nMOS逻辑电路,简化了下拉网络结构,从而进一步减小了电路的功耗。 | ||
搜索关键词: | 基于 mos 差分型 主从 jk 触发器 | ||
【主权项】:
一种基于浮栅MOS管的差分型主从JK触发器,其特征在于:包括输入控制结构、差分结构的主触发器和差分结构的从触发器;所述输入控制结构由基本门电路构成,非门I1、与门N1、与门N2和或门A1构成f1输入结构,非门I2、与门N3、与门N4、或门A2和非门I3构成f2输入结构;I1的输出作为N2的一个输入,N1和N2的输出作为A1的两个输入,A1的输出为f1;I2输出作为N3的一个输入,N3和N4的输出作为A2的两个输入,A2的输出作为I3的输入,I3的输出为f2;所述主触发器由构成差分结构的PMOS管m3、PMOS管m4、三输入n型浮栅MOS管m1和三输入n型浮栅MOS管m2构成;所述从触发器由构成差分结构的PMOS管m7、PMOS管m8、三输入n型浮栅MOS管m5、三输入n型浮栅MOS管m6、反相器INV1和反相器INV2构成;所述PMOS管m3、m4、m7、m8源级接工作电压VDD,所述三输入n型浮栅MOS管m1、m2、m5、m6的源级接地;所述主触发器中构成差分结构的两个PMOS管m3和m4的漏极分别与两个三输入n型浮栅MOS管m1和m2的漏极连接,并且产生主触发器的输出和x;所述从触发器中构成差分结构的两个PMOS管m7和m8的漏极分别与两个三输入n型浮栅MOS管m5和m6的漏极连接,并通过两个反相器INV1和INV2连接到输出端Q和
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学城市学院,未经浙江大学城市学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621370662.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:复合式方舱滤波器
- 下一篇:基于浮栅MOS管的差分型单边沿T触发器