[实用新型]一种接触电阻测试结构有效
| 申请号： | 201621353554.0 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN206258520U | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/14 | 分类号： | G01R27/14 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种接触电阻测试结构，适用于测量FinFET的接触电阻，包括一有源区，所述有源区上形成有若干鳍状结构，所述鳍状结构连接若干相互平行且垂直于所述鳍状结构的接触插塞，所述鳍状结构的周围还设有若干与所述接触插塞平行的虚拟插塞，所述虚拟插塞的插入便于所述接触插塞关键尺寸的控制；插入所述虚拟插塞后，有效的金属插塞更加接近真实的晶体管，与相应的晶体管级模型相比，该结构能够获得更高仿真精度的接触电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 电阻 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种接触电阻测试结构，适用于测量FinFET的接触电阻，包括一有源区，所述有源区上形成有若干鳍状结构，所述鳍状结构连接若干相互平行且垂直于所述鳍状结构的接触插塞，其特征在于，所述鳍状结构的周围还设有若干与所述接触插塞平行的虚拟插塞，所述虚拟插塞适于改变所述接触插塞周围的光照环境以便于所述接触插塞的尺寸实现。
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