[实用新型]一种瞬态抑制电压二极管器件有效
| 申请号： | 201621300136.5 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN206340551U | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;许志峰;李建新 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种瞬态抑制电压二极管器件，包括N型衬底、第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层，N型衬底正面和背面的中央对称刻蚀有P‑型反型层，P‑型反型层上刻蚀有P+型浅结区，第一氧化层形成于N型衬底的表面并覆盖部分P‑型反型层，第二氧化层形成于第一氧化层的表面，第三氧化层形成于P‑型反型层的表面并覆盖部分P+型浅结区，P+型浅结区的表面刻蚀有金属化电极，金属化电极的宽度范围延伸至第二氧化层。本实用新型采用P+P‑N型结合三层氧化层的结构，能在相对宽的硅片电阻率范围内，在保证浪涌能力不变的前提下实现相同的电压范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 瞬态 抑制 电压 二极管 器件 | ||
【主权项】：
一种瞬态抑制电压二极管器件，其特征在于：包括N型衬底、第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层，所述N型衬底正面和背面的中央对称刻蚀有P‑型反型层，所述P‑型反型层上刻蚀有P+型浅结区，所述P+型浅结区的深度和宽度均不超过P‑型反型层的深度和宽度，所述第一氧化层形成于N型衬底的表面并覆盖部分P‑型反型层，所述第二氧化层形成于第一氧化层的表面，所述第三氧化层形成于P‑型反型层的表面并覆盖部分P+型浅结区，所述P+型浅结区的表面刻蚀有金属化电极，所述金属化电极的宽度范围延伸至第二氧化层。
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