[实用新型]具有环形绝缘层结构的石墨烯硅基太阳能电池有效
| 申请号： | 201621282972.5 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN206441744U | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 况亚伟;马玉龙;倪志春;魏青竹;杨希峰;朱丹凤;刘玉申;冯金福 | 申请（专利权）人： | 常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0745;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 张俊范 |
| 地址： | 215500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有环形绝缘层结构的石墨烯硅基太阳能电池，包括背电极，背电极上设置单晶硅片，单晶硅片上设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，二氧化硅层陷入单晶硅片的厚度为0.2～2μm，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面设置石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜表面设置前电极。具有环形绝缘层结构的石墨烯硅基太阳能电池的效率与传统结构相比有显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 环形 绝缘 结构 石墨 烯硅基 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种具有环形绝缘层结构的石墨烯硅基太阳能电池，其特征在于，包括背电极，背电极上设置单晶硅片，单晶硅片上设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，二氧化硅层陷入单晶硅片的厚度为0.2～2μm，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面设置石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜表面设置前电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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