[实用新型]一种SiC涂层石墨基座有效
| 申请号： | 201621268056.6 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN206467325U | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 李西维;詹国彬 | 申请（专利权）人： | 上海东洋炭素有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京创遇知识产权代理有限公司11577 | 代理人： | 李芙蓉,冯建基 |
| 地址： | 201611 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种用于蓝、绿光外延片生长的SiC涂层石墨基座，包括基座体和所述基座体上的多个口袋，通过对石墨基座不同位置处的口袋设置不同的深度，且对于口袋底部形状进行额外设置，从而实现基座上衬底的温度一致性，把中心片利用起来，提高整炉外延片的良率，提高产能，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 涂层 石墨 基座 | ||
【主权项】：
一种SiC涂层石墨基座，所述石墨基座包括基座体和所述基座体上的多个口袋，其特征在于，所述口袋内有台阶，所述基座体中心位置口袋的台阶低于其他位置口袋的台阶，且所述基座体中心位置口袋的底部凸起，使得底面中心高于底面四周。
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