[实用新型]一种焊带结构有效
申请号: | 201621254145.5 | 申请日: | 2016-11-17 |
公开(公告)号: | CN206179878U | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 刘亚锋;王路闯 | 申请(专利权)人: | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种焊带结构,包括焊带主体,所述焊带主体包括多个交错连接的凹结构和凸结构,所述焊带主体的两端设置有所述凸结构,所述凸结构的顶端和所述凹结构的顶端用于与汇流条焊接,所述凸结构的底端和所述凹结构的底端用于与电池片的主栅线焊接。所述焊带结构,通过在焊带主体中设置交错连接的凹结构和凸结构,连接汇流条和电池片的主栅线,将现有技术中焊带与汇流条、电池片的点接触焊接,变为面接触焊接,降低焊接难度,提高焊接节拍,提高焊接效率和焊接质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的