[实用新型]一种高耐压VDMOS器件有效
| 申请号： | 201621187879.6 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN206116408U | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 姚剑锋;王自鑫;郭建平;邱晓辉;张顺;张国光;严向阳 | 申请（专利权）人： | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 佛山市禾才知识产权代理有限公司44379 | 代理人： | 刘羽波 |
| 地址： | 528051 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种高耐压VDMOS器件，包括N型衬底、外延层、P体区、N+源区、源极金属、栅氧化层、和多晶硅层；N型衬底位于器件最底部，N型衬底设置有连接漏极的接口；外延层设于N型衬底的上部，外延层的厚度为28μm，外延层的电阻率为43.1034Ω·cm；P体区分别位于外延层上表面的下端；N+源区设于P体区与外延层的上表面之间；栅氧化层设于外延层的上表面；多晶硅层设于栅氧化层上部，多晶硅层设有连接栅极的接口；源极金属设于P体区的上部，源极金属设有连接源极的接口。本实用新型通过降低外延层的电阻率，外延层厚度、减小元胞尺寸等方法，从而达到减少工艺步骤和生产成本，满足设计要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
一种高耐压VDMOS器件，其特征在于：包括N型衬底、外延层、P体区、N+源区、源极金属、栅氧化层、和多晶硅层；所述N型衬底位于所述器件最底部，所述N型衬底设置有连接漏极的接口；所述外延层设于所述N型衬底的上部，所述外延层的厚度为28μm，所述外延层的电阻率为43.1034Ω·cm；所述P体区分别位于所述外延层上表面的下端；所述N+源区设于所述P体区与所述外延层的上表面之间；所述栅氧化层设于所述外延层的上表面；所述多晶硅层设于所述栅氧化层上部，所述多晶硅层设有连接栅极的接口；所述源极金属设于所述P体区的上部，所述源极金属设有连接源极的接口。
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