[实用新型]一种基于硅通孔的高品质三维电感器有效
申请号: | 201621187433.3 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN206379349U | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 高璇;赵文生;泮金炜;郑杰;王高峰 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L21/768 |
代理公司: | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)33240 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开一种基于硅通孔的高品质三维电感器。本实用新型由多个电感元件单元构成,输入输出端口位于金属层和重新布局层;电感元件单元包括位于金属层、一个圆环状硅通孔阵列、重新布局层。圆环状硅通孔阵列上设有内、外圈硅通孔阵列,内圈和外圈上各硅通孔按照设计要求进行金属层、重新布局层的连接。本实用新型运用金属线连接圆环内外圈中的硅通孔阵列,相较与传统硅通孔构造的电感器具有较大的电感值,同时充分利用同圆环内圈或外圈中相邻硅通孔的电流流向都相同,来增强电感值,并且挖出圆环内部硅基底以减少损耗,此外还大大的减少了片上的占用面积。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 硅通孔 品质 三维 电感器 | ||
【主权项】:
一种电感器,其特征在于由多个电感元件单元构成,三维电感器元件的输入输出端口位于基底顶部的金属层和基底底部的重新布局层;所述的电感元件单元包括位于基底顶部的金属层、一个圆环状硅通孔阵列、位于基底底部的重新布局层;所述的圆环状硅通孔阵列上设有内、外圈硅通孔阵列,内圈或外圈硅通孔左右对称设置,且输入端、输出端分别设于外圈对称轴的两侧;所述的内圈和外圈上硅通孔的个数相同,且均为n个,10≤n≤18;将圆环中的硅通孔顺时针或逆时针定义为第一至第n硅通孔;在电感器的顶部金属层进行金属线连接,按照如下规则:将圆环内圈中的第k个硅通孔的金属层端与圆环外圈中的第k+1硅通孔的金属层端通过金属线连接;同样在电感器的底部重新布局层也进行金属线连接,按照如下规则:将圆环外圈中的第k个硅通孔的重新布局层端与圆环内圈中的第k个硅通孔的重新布局层端通过金属线连接;其中1≤k≤n‑1。
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