[实用新型]离子源终止器及离子注入装置有效

专利信息
申请号: 201621147484.3 申请日: 2016-10-21
公开(公告)号: CN206116344U 公开(公告)日: 2017-04-19
发明(设计)人: 高波;单易飞 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01J37/30
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 王华英
地址: 100176 北京市大兴*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型提供一种离子源终止器,位于离子注入腔室的内壁,适于阻止离子束轰击所述离子注入腔室的内壁,所述离子源终止器包括若干个石墨条,所述石墨条均为三棱柱形结构,所述石墨条由上至下依次横向平行排列于所述离子注入腔室的内壁,其中,所述石墨条接受水平方向上离子束轰击的一侧面与所述离子注入腔室的内壁形成一锐角,适于改变因离子束轰击产生的石墨污染颗粒的溅射方向。本实用新型用于解决现有技术中离子源终止器因整块设计更换不易、以及在使用过程中石墨污染颗粒的溅射面积大污染晶圆的问题。
搜索关键词: 离子源 终止 离子 注入 装置
【主权项】:
一种离子源终止器,位于离子注入腔室的内壁,适于阻止离子束轰击所述离子注入腔室的内壁,其特征在于,所述离子源终止器包括若干个石墨条,所述石墨条均为三棱柱形结构,所述石墨条由上至下依次横向平行排列于所述离子注入腔室的内壁,其中,所述石墨条接受水平方向上离子束轰击的一侧面与所述离子注入腔室的内壁形成一锐角,适于改变因离子束轰击产生的石墨污染颗粒的溅射方向。
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