[实用新型]用于加热晶圆的除溢散气设备有效
| 申请号： | 201621134944.9 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN206340523U | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王志斌;刘明晖;梁金堆 | 申请（专利权）人： | 力鼎精密股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司11234 | 代理人： | 宋义兴,张立晶 |
| 地址： | 中国台湾苗*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于加热晶圆的除溢散气设备，包含一承载装置，包括多个分别固定多个晶圆的承托座；多个加热模块，各该加热模块包括多个加热灯管及其位置对准一该承托座；以及一温度控制系统，包括多个分别量测该等晶圆的温度的测温仪，及多个能根据该等晶圆被量测到的温度以分别调整该等加热模块的加热温度的温度控制器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 加热 溢散气 设备 | ||
【主权项】：
一种用于加热晶圆的除溢散气设备，其特征在于，包含：一承载装置，包括多个分别固定多个晶圆的承托座；多个加热模块，各该加热模块包括多个加热灯管及其位置对准一该承托座；以及一温度控制系统，包括：多个测温仪，分别量测该等晶圆的温度；及多个温度控制器，根据该等晶圆被量测到的温度以分别调整该等加热模块的加热温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
